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1、溫度范圍：

1. 1. 常見的高溫測試溫度范圍為85°C至125°C，甚至更高（如150°C或175°C），具體取決于芯片的設計要求和應用環境。
   2. 在某些情況下，測試溫度可能更低（如40°C或60°C），以模擬不同的使用場景。

2、濕度范圍：

1. 1. 濕度通常設置在85%RH至95%RH之間，這是最常見的測試條件。
   2. 在一些特殊測試中，濕度可能達到100%RH或更高，以加速老化過程。

持續時間：

3、測試時間從幾小時到數千小時不等，具體取決于測試目的。例如：

• 短期測試可能持續幾小時（如48小時）。
• 長期測試可能持續數千小時（如1000小時、4000小時或8000小時）。

4、 偏壓條件：

在高溫高濕測試中，通常施加一定的偏置電壓以加速芯片的老化過程。例如：

對于MOSFETs，偏置電壓可能為漏源電壓的0.8倍。

對于其他類型的芯片，偏置電壓可能在1V至2V之間。

5、試驗設備要求：

高溫高濕測試需要使用恒溫恒濕箱或專用試驗機，這些設備能夠精確控制溫度和濕度，并保持穩定的環境條件。

設備應具備快速升溫和平溫降能力，以縮短試驗周期。

6、標準和規范：

測試通常遵循國際標準（如IEC 60745-9、JESD22-A104等）或行業規范（如GB/T 4937.42-2023）。

不同芯片類型（如IGBT、MOSFET、碳化硅器件等）可能有不同的測試要求。

7、應用場景：

高溫高濕測試廣泛應用于汽車電子、航空航天、工業控制等領域，以確保芯片在惡劣環境下的長期可靠性。

芯片的高溫高濕測試條件通常包括以下典型參數：溫度范圍（85°C至175°C）、濕度范圍（85%RH至100%RH）、持續時間（幾小時至數千小時）、偏置電壓（如漏源電壓的0.8倍），并遵循相關標準進行操作。這些測試條件旨在模擬芯片在實際使用中可能遇到的極端環境，從而評估其性能和可靠性。

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